RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3722
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link