RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3138
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link