RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3017
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link