RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3544
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link