RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
23.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
23.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4380
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link