RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
20.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4247
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB Сравнения RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link