RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
62
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
23
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link