RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4122
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link