RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3824
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link