RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3668
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link