RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
20.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4170
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Mushkin 992031 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link