RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
56
Около 57% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
56
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2795
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link