RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
56
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
56
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2795
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link