RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link