RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link