RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link