RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2759
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Corsair CMSX8GX3M2B1600C9 4GB
Corsair CMSX8GX3M2B1600C9 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link