RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
64
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
64
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2067
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link