RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
77
Около -166% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3754
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link