RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3754
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Nanya Technology HYS72T512420EFD-3s 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link