RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
70
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
70
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1946
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link