RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
70
Intorno 66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
70
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
1946
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link