RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2227
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link