RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link