RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3182
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link