RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3149
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link