RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
101
Около 76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
101
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link