RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2765
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link