RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
66
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
66
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1953
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link