RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
51
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
17
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
21.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3695
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link