RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905625-062.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2776
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre 0000 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link