RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905630-007.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2387
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link