RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905734-082.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link