RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905734-082.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link