RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9932291-002.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2252
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link