RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9965589-031.D01G 2GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
47
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2211
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link