RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9965600-012.A02G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
44
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
44
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2562
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451R7AFR8A-PB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link