RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
44
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2562
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link