RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2769
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link