RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2815
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link