RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3137
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link