RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3429
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link