RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3856
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link