RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KTP9W1-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2978
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link