RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2800
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link