RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
60
Около -107% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2854
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link