RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2364
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link