RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
87
Около -181% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
870.4
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3313
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link