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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
87
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
31
读取速度,GB/s
3,155.6
17.7
写入速度,GB/s
870.4
13.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3313
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
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