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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 6% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
31
读取速度,GB/s
16.9
17.7
写入速度,GB/s
12.0
13.4
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3313
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
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