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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
比较
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
18.3
15.4
写入速度,GB/s
14.5
10.7
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3454
2739
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
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