Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

总分
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB

总分
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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    28 left arrow 34
    左右 18% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    18.3 left arrow 15.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    14.5 left arrow 10.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 17000
    左右 1.13 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    28 left arrow 34
  • 读取速度,GB/s
    18.3 left arrow 15.4
  • 写入速度,GB/s
    14.5 left arrow 10.7
  • 内存带宽,mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3454 left arrow 2739
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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