RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 49
    Около 51% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 10.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 8.6
    Среднее значение в тестах
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 49
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 10.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 8.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2504

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
модули RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
модули RAM