RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
49
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2504
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C7 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link